4月27日下午，法国国家科学中心（CNRS）李东哲研究员（博导、 洪堡学者）应邀到我院与师生开展学术交流，并作题为“二维材料中Dzyaloshinskii-Moriya相互作用和磁斯格明子的第一性原理研究”的学术讲座。
李东哲，男，法国国家科研中心研究员（终身）、博导。本科毕业于华中科技大学，2015年获得巴黎第六大学（现索邦大学）物理学博士学位。2016-2020年先后在德国Konstanz大学和丹麦科技大学物理系开展博士后工作，获洪堡学者资助。主要从事自旋电子学理论计算方面的研究，特别关注磁各项异性，单分子器件中的自旋输运特性和拓扑自旋结构（如skyrmion，bimeron）等的物理机制探索，以便设计出高效低耗新型自旋电子器件。相关成果以第一作者/通信作者身份发表在PRL, PRB, Nano Lett.等主流杂志上。先后主持法国国家科研署（ANR）独立项目，ANR优先资助项目，NanoX Emergent项目等。
李东哲研究员提出，磁斯格明子是一种非共线自旋结构并受拓扑保护的准粒子，在自旋电子学的应用中显示出巨大的前景。最近二维磁铁的发现为原子层厚度的范德华（vdW）材料中的拓扑自旋结构提供了新的机遇。他介绍了外部激励如何有效地调控Fe3GeTe2 (FGT) vdW异质结构中的不同自旋-自旋相互作用，并发现机械应力可有效调控Dzyaloshinskii-Moriya相互作用(DMI)，其DMI大小和薄膜Pt/Co体系相媲美，且进一步证明，在FGT异质结构中，通过应力对DMI、交换耦合和磁各向异性能量的有效控制，可形成直径接近10 nm的磁斯格明子。
互动交流环节，现场气氛热烈，物电学院师生积极提问，李东哲研究员耐心解答。通过本讲座，在座师生对二维磁性材料中磁斯格明子的研究有了初步认识，拓宽了学术视野。
